属性 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 16.9A
栅源极阈值电压 3V @ 250uA
漏源导通电阻 83mΩ @ 6A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C) 41.7W
类型 N沟道
供应VBsemi品牌 VBE1695 原装现货
属性 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 16.9A
栅源极阈值电压 3V @ 250uA
漏源导通电阻 83mΩ @ 6A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C) 41.7W
类型 N沟道